Antarmuka : PCIe 3.0×4
NVMe Media Intel® 3D NAND 144 lapis
Performa Pembacaan Berurutan : Hingga 3.500 MB/detik
Penulisan Berurutan : Hingga 2.700 MB/detik
Pembacaan Acak 4 KB
Hingga 310K IOPS
Penulisan Acak 4 KB :
Hingga 340K IOPS
Daya Tahan
512GB : 185 TBW
1 TB : 370 TBW
2 TB : 740 TBW
TBW = Terabyte tertulis
Daya Aktif: 80 mW
Siaga: 25 mW
Suhu Operasi ; 0° C to 70° C